阻变器件是面向后摩尔时代的重要新型电子信息器件，是极具潜力的新型信息存储技术，也是构建可以突破冯•诺依曼体系结构瓶颈的存算一体及类脑芯片的关键技术之一。阻变器件的本征非理想效应及高密度集成带来的热效应会与非理想效应耦合，成为阻变器件在存储和存算应用中的关键挑战。北京大学集成电路学院教授、智源研究员蔡一茂团队基于阻变器件非理想效应的物理图像，提出了可以准确描述多种非理想效应的集约模型，构建了跨层次、能够综合评估器件技术、阵列拓扑及算法设计的仿真验证平台，系统评估了非理想效应和热串扰对存储及存算应用的影响，并进一步为器件-阵列-算法的协同优化设计提供了重要指导。
阻变存储技术在存储和神经形态计算应用中的器件-阵列-算法协同优化仿真验证平台（图片来源:学者提供）
